我們生產的為非晶矽薄膜太陽能電池，了解 PECVD設備及工藝需要（yào）對真空鍍（dù）膜有一個了（le）解，並且對半（bàn）導體物理及薄膜知識有一定的認識。不同設備（bèi）和不同類型規格的薄膜要采用（yòng）適當的分切工藝，設備狀況變化時也可以通過工藝調整給予彌補，但工藝調整必須謹慎。我們先對進口真空泵及薄膜的基礎概念做一個粗略的了解。

關於進口真空泵及薄膜的（de）基礎概念，東莞市国产精品亚洲片夜色在线真空科技有限公司分為兩（liǎng）個方麵進行分析。

關於薄（báo）膜的基礎概念，有以下幾個方麵。

①薄膜：在嚴格（gé）的學（xué）術意義（yì）上，認為隻有聚集厚度小（xiǎo）於某一特征厚度的材料才是真正的薄膜，否（fǒu）則便是一般的薄材料。

②特征厚度：是利用物質的某些基本性質（zhì）在物質聚集厚度很薄的情況下會（huì）發生異（yì）常變（biàn）化的現（xiàn）象而確定的（de），即當被選定為參考的某一物（wù）理性質或機械性質開始顯示出不同於它通常所（suǒ）具有的（de）特點時的厚度，便是給物質的薄膜特征厚度。可以認為薄膜是（shì）一種二維的材料。

③沉積技術：

氣相沉積（將構成薄膜的（de）物質氣化後在沉積到襯底上）。

液相沉積（在液體（tǐ）中沉積鍍膜）。

氣相沉積：比較容易控製薄膜的組分。

液相沉積：在接近於熱平衡的條件下成膜，能獲得（dé）較妤的膜質。

薄膜的主要（yào）性能（néng）

①膜厚：越均勻越妤，一般應控（kòng）製在一個範圍以內比如5%，這與（yǔ）玻璃基板尺寸有關。

②膜表麵形貌：通過掃描電子顯（xiǎn）微鏡（SEM）投射電子顯微鏡（TEM）等分析表（biǎo）明顆（kē）粒狀態，可獲得薄膜表麵的致密情況，缺（quē）陷狀（zhuàng）態，退火處理對膜表麵的影響（xiǎng）等信（xìn）息。

③膜機構特性：用Ⅹ射線衍射分析膜的組成成（chéng）分，可獲得膜（mó）的純（chún）度等信息。

膜應力：薄膜內部的應力越小越好，通過退火（huǒ）處理可最（zuì）大程度的（de）釋放膜的內（nèi）部應（yīng）力。

④膜與（yǔ）襯（chèn）底的接觸特性：主要是指薄膜與襯底之間的附著力，當然附著（zhe）力越強越好，可避免薄膜出現缺失，開路等。

⑤膜的致密性：主要指的是膜層的硬度和抗磨性。避免外界劃傷引起的（de）開路（lù）現膜的化學，熱穩定性。

⑥針對金（jīn）屬膜層：要求製備出的金屬膜（mó）層的電阻率盡可能低，接近體電阻率。

關於進口真空泵的基（jī）礎概念（niàn）

①真（zhēn）空：低於一個大氣壓的狀態就是真空。

②真空度：真空狀態下氣體的稀薄程度。

③標準（zhǔn）環境條件：溫度20°C，相（xiàng）對濕度65%，大氣壓力101325Pa。

④真（zhēn）空特點：氣（qì）體分子平均自由程大；單位麵積上（shàng）分子與固體表麵碰撞幾率變小；氣體分子密度（dù）低；剩（shèng）餘氣體對沉積膜的摻雜減小。要想獲得高（gāo）品質的薄膜就（jiù）必（bì）須有一個比較理（lǐ）想的本底（dǐ）真空。

進口真空泵的不同真空狀態下真空工藝（yì）應用（yòng）

⒈粗真空（10000-1000Pa）：氣體（tǐ）狀態與常（cháng）壓相比隻是分子（zǐ）數量的（de）減少，沒有氣體空間特性的（de）變化，分子間碰撞頻繁，此（cǐ）時的吸附氣體釋放可以不予考慮，氣（qì）體運動以粘滯流（liú）為主。主要是利用壓力差產生的力來實現真（zhēn）空力學應用（真空吸引或運輸固體、液（yè）體、膠體等真空吸盤起重（chóng），真（zhēn）空過濾）

⒉低真空（1000-0.1Pa）：氣體分子間（jiān），分子與器壁間碰撞不相（xiàng）上下，氣體分子密度較小，氣（qì）體釋放也可不考（kǎo）慮（lǜ），氣體運動以中間流為主。利用氣（qì）體分子密度降低可實現無氧化加熱，利用氣壓（yā）降低時氣體的熱（rè）傳導和對流逐漸消（xiāo）失的原理可以實現真空隔熱及絕緣，利用壓強降低液（yè）體沸點也降低的原（yuán）理實現真空冷凍和真空幹燥（黑色金屬真空熔煉脫氣，真空絕緣和真空隔熱，真空冷凍及（jí）千燥（zào），高速空氣動力（lì）學實驗中的低壓風洞）。

⒊高真空（0.1-0.0001Pa）：氣體分子間相互碰撞極少，氣體分子與器（qì）壁間碰（pèng）撞頻繁，氣體運動以分子流（liú）為主，此時的氣（qì）體釋（shì）放（fàng）是影（yǐng）響真空度及抽氣時（shí）間（jiān）的一個主要原因。利用氣體分子密度低，任何物質與氣體殘餘（yú）分子發生化學作用微弱的特點（diǎn）進行真空冶金，真空鍍膜（mó）（超純金屬（shǔ）、半導體（tǐ）材料的真空提純及精製，真空鍍膜，離（lí）子注入、幹法刻蝕等表麵改性，真空器件的生產：光電管、各種粒子加速器等）。

⒋超高真空（>0.0000Pa）：氣體分（fèn）子（zǐ）與器壁的碰撞（zhuàng）次數（shù）極少，氣體空（kōng）間隻有固體本身的原子，幾部沒有別（bié）的（de）分子（zǐ）或原子的存在，此時壓強的升高除了泄漏外（wài）主要就是器壁分子的釋放。應用：宇宙空間環境的模擬，大型同步質子加速器的運轉。