旋（xuán）片真空泵在半導體刻蝕工藝中的（de）應用的目的是（shì）把經曝光、顯影後光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉，即（jí）在下層材料上重現與光刻（kè）膠（jiāo）相同的圖形。刻蝕是半導體製造工藝（yì），微（wēi）電子IC製造（zào）工藝以及微納製造工藝中的一種相（xiàng）當重要的（de）步驟（zhòu）。是與光（guāng）刻相聯係的圖形化（huà）處理的一種主要（yào）工藝。所謂刻蝕（shí），實際（jì）上（shàng）狹（xiá）義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將（jiāng）光刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除（chú）去的部（bù）分。隨著微製造工藝的（de）發展，廣義上來講（jiǎng），刻（kè）蝕成了通過溶液、反應離子或其它機（jī）械方式來剝離、去除材料的（de）一種統（tǒng）稱，成為微加工製造的一種普（pǔ）適叫法。

下麵分別介紹Si3N4刻蝕的（de）流程：

半導（dǎo）體刻蝕工（gōng）藝之Si3N4刻蝕：

在903E刻蝕機中刻蝕，刻蝕機內通入的氣體（tǐ）有：CF4、NF3、He。氟遊離基的作用是使氮化（huà）矽被腐蝕，生成物是氣體，被旋片真空泵抽氣抽走。為了加快腐蝕速率可以在CF4中加入少量氧氣（5%-8%），因為（wéi）氧能夠抑製F*在反應腔壁的損失，並且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較（jiào）長，當它運動到矽片表麵時發生以下（xià）反應從而（ér）加速了腐（fǔ）蝕速率（lǜ）：COF*→F* CO （電離），但（dàn）是氧氣加多了要腐蝕光刻膠降低選擇比。

刻蝕是微細加工（gōng）技術的一個重要組成部分（fèn），微電子學的快速發（fā）展推動其不斷向前。從總體（tǐ）上來說（shuō），刻蝕技術可分為幹法刻蝕和濕法刻蝕兩種，初期的刻蝕以濕法刻蝕為主，但隨著器件（jiàn）製作進入微米、亞微（wēi）米時代，濕（shī）法刻蝕難以滿足越（yuè）來越高的精度（dù）要求。幹法刻蝕技術得以很大進（jìn）展。幹法刻（kè）蝕一般為通過物理和化學兩個（gè）方麵相結合的辦法來去除被刻蝕的薄膜，因此刻蝕具有（yǒu）各向異性，這就可以從根（gēn）本上改善濕法所固有（yǒu）的橫（héng）向（xiàng）鑽蝕問題，從而滿（mǎn）足微細線條刻蝕的要求。常用的刻蝕方法有（yǒu）很多，旋片真空技術是其（qí）中的一種。半導體刻蝕工藝用旋片真空泵具有刻速快、選擇比高、各向異性高（gāo）、刻蝕損傷小（xiǎo）、大麵積均勻性（xìng）好、刻蝕斷麵輪廓可控性高和刻蝕表麵平整光滑等優點，近年來，德國旋片真空泵被廣泛應用在矽、二氧化矽（guī）、Ⅲ-Ⅴ族化合物等材（cái）料的刻蝕上，取得了（le）很（hěn）好的刻蝕（shí）效（xiào）果，可以滿（mǎn）足製作（zuò）超（chāo）大規模集成電路、MEMS、光電子器件（jiàn）等各種微結構器件的要求。

通過旋片真空泵在半導體刻蝕工藝中的應用這個（gè）實例，可（kě）以反映出隨著人們（men）對国产精品亚洲片夜色在线旋片真空泵的（de）進一步了解和設備的（de）進一步完善，真（zhēn）空技術會更（gèng）加（jiā）適應刻蝕多樣化的要求，從而被越來越多地應用到器（qì）件製作工藝（yì）中去，成為刻蝕的主流技術，從整體（tǐ）上提高器件的製備（bèi）水（shuǐ）平，進一步促進器件水平的提高、結構的更新和集成度的提高，更好地獲得一個很好的效果。